Kas yra užsikrėtimo tikslu magnetrono purškimas? Kokie yra pagrindiniai veiksniai?

Kas yra užsikrėtimo tikslu magnetrono purškimas? Kokie yra pagrindiniai veiksniai?

Pirma: susidaro paviršinio metalo junginiai.

Kur yra junginys, pagamintas iš metalinio taško per reaktyvią purškimą? Kadangi reaktyviosios dujų dalelės susiduria su tiksliniais atomais, kad susidarytų cheminės reakcijos, kad susidarytų jungtiniai atomai, kurie paprastai yra eksoterminės reakcijos, reakcijos formavimo šiluma turi būti tokia, kad būtų galima išvesti, kitaip cheminė reakcija negali tęstis. Šilumos laidumas tarp dujų nėra įmanomas vakuumo sąlygomis, todėl cheminės reakcijos turi vykti ant kieto paviršiaus. Reaktyvūs purškimo produktai yra atliekami ant tikslinio paviršiaus, pagrindo paviršiaus ir kitų struktūrinių paviršių. Mūsų tikslas - gaminti junginius ant paviršiaus paviršiaus. Kitų struktūrinių paviršių junginių generavimas yra išteklių švaistymas. Junginių generavimas ant tikslinio paviršiaus iš pradžių yra jungtinių atomų šaltinis, bet vėliau tampa kliūtimi nuolatiniam daugiau junginių atomų tiekimui.

Antra, įtakos apsinuodijimo tikslais veiksniai

Apsinuodijimas tikslu labiausiai priklauso nuo reaktyviosios dujos ir purškiamų dujų kiekio. Reaktyvaus purškimo proceso metu purškimo kanalo plotas ant tikslinio paviršiaus padengiamas reaktyviais produktais arba reaktyvūs gaminiai yra nuimami ir metalinis paviršius yra pakartotinai eksponuojamas. Jei junginio susidarymo greitis yra didesnis nei greitis, kuriuo junginys pašalinamas, junginio aprėpties plotas padidėja. Tam tikros galios atveju reakcijos dujų kiekis, susijęs su junginio susidarymu, didėja, o junginio susidarymo greitis didėja. Jei reaguojančių dujų kiekis padidėja pernelyg ir sudėtingo aprėpties plotas padidėja, jei reaktyvusis dujų srautas negali būti koreguojamas laiku, junginio aprėpties ploto padidėjimo greitis nebus slopinamas ir purškimo kanalas bus papildomai padengtas junginiu . Kai purškimo tikslas yra visiškai padengtas junginiu, tikslas bus visiškai apsinuodijęs.

Trečia: taikinio apsinuodijimo reiškinys

(1) teigiamas jonų kaupimasis: kai objektas yra apsinuodijęs, ant tikslinio paviršiaus susidaro izoliacinė plėvelė. Kai teigiami jonai pasiekia katodo paviršių, jie negali patekti į katodo paviršių tiesiogiai dėl izoliacinio sluoksnio užtvaros. Vietoj to jie nusėda ant tikslinio paviršiaus, kuris gali sukelti lankinio išlydžio --- lanką, nubėgėjantį šalto lauko sąlygomis, todėl katodo spinduliavimas negali tęstis. (2) anodinis išnykimas: kai objektas yra apsinuodijęs, izoliacinė plėvelė nusėda ant žemės vakuuminės kameros sienelės, o elektronai, pasiekę anodą, negali patekti į anodą ir susidaro anodinio išnykimo reiškinys.

Ketvirta: fizinis priežasčių apsinuodijimo paaiškinimas

(1) apskritai metalų junginių antrinių elektronų emisijos koeficientas yra didesnis nei metalo. Po užkrėtimo tikslais, tikslinės medžiagos paviršius yra visi metalo junginiai. Po bombardavimo jonais padidėja antrinių elektronų skaičius, kuris pagerina erdvės pralaidumą, mažina plazmos atsparumą ir mažina purškimo įtampą. Purškimo greitis sumažėja. Paprastai magnetrono purškimo spinduliavimo įtampa yra tarp 400 V ir 600 V. Kai atsiranda tikslinga apsinuodijimas, purškimo įtampa bus žymiai sumažinta. (2) metalo tikslinio purškimo sparta skiriasi nuo junginio tikslinio purškimo greičio. Paprastai metalo purškimo koeficientas yra didesnis nei junginio, todėl purškimo dažnis yra mažesnis po apsinuodijimo tikslais. (3) reaktyvaus dujų purškimo dujų purškimo efektyvumas yra mažesnis už inertinių dujų kiekį, todėl integruotoji purškimo sparta mažėja, kai reaktyvinių dujų dalis padidėja.

Penkta: apsinuodijimo tikslais sprendimas

(1) vidutinės dažnio galia arba rf galia.

(2) uždaro ciklo valdymas priimamas, siekiant kontroliuoti reaktyviųjų dujų įleidimo kiekį.

(3) priimti dvynius tikslus

(4) kontroliuoti dengimo režimo pasikeitimą: prieš dengimą surenkamas joks jo atsparumo tikslui joterezės poveikio kreivė, todėl įsiurbimo srautas kontroliuojamas uždegimo objekto priekyje, o procesas visada būna veikiant prieš nusodinimo spartą .

Objekto paviršiuje yra gana lengva išpurkšti metalo atomus. Paprastai reikia radijo dažnio purškimo.

Jono bombardavimas metalo atomus ant tikslinio paviršiaus daro gyvą. Šiuo metu tiriamuoju paviršiumi vyksta ir purškimas, ir reakcija, kad susidarytų junginiai. Jei purškimo sparta yra didesnė už sudėtinį susidarymo greitį, tikslas yra metalo purkštuko būsenoje. Ir atvirkščiai, jei reakcijos dujų slėgis padidėja arba metalo purškimo greitis mažėja, taikinys gali staiga susidaryti junginio greičiui, viršijančiam purškimo greitį, ir sustabdyti purtymą.

Siekiant sumažinti apsinuodijimą tikslais, specialistai dažnai naudoja šiuos metodus: (1) reaktyviosios dujos ir purškiamos dujos siunčiamos atitinkamai į pagrindą ir šalia tikslinės medžiagos, kad susidarytų slėgio gradientas; (2) padidinti išmetamųjų dujų kiekį; (3) dujų impulsų įvedimas; (4) plazmos stebėjimas ir kt.

Tikslinis apsinuodijimas sukelia teigiamų jonų kaupimąsi ant tikslinio paviršiaus purškimo procese, kuris nėra neutralizuotas. Dėl to neigiamas poslinkis ant tikslinio paviršiaus sumažėja palaipsniui. Galiausiai, apsinuodijimas tikslu tiesiog nustoja veikti.

Pagrindinė apsinuodijimo tikslu priežastis yra tai, kad terpės sintezės greitis yra didesnis nei purškimo išeiga (per daug oksidacijos reakcijos dujų įpurškiama), dėl ko prarandama laidžiojo tikslo laidumo galimybės. Tik tada, kai sustiprės įtampos plyšys, gali būti tikslinė spinduliuotė, įtampa yra per didelė, o lankinio išlydžio susidarymas yra lengvai. Fenomenas: tikslinė įtampa ilgą laiką negali pasiekti normalaus ir visada veikia žemoje įtampoje, kartu su išlydžio lanku. Tikslinio paviršiaus pusėje yra baltos spalvos adhezijos arba stipriai pin formos pilkos iškrovos pėdsakai. Jei reikia pašalinti taikinio apsinuodijimą, vietoj nuolatinio maitinimo šaltinio turėtų būti naudojamas vidutinio dažnio maitinimo šaltinis arba RF maitinimo šaltinis. Reaktyvių dujų suvartojimo kiekio sumažinimas, padidėjusi purškimo jėga, teršalų valymas tikslinėms medžiagoms (ypač naftos taršai) ir dulkių ir arc gesinimo dangų pasirinkimas su geru vakuumu gali veiksmingai užkirsti kelią apsinuodijimui. Magnetas, įmirkytas į aušintuvą, esantį tikslinės medžiagos viduje, turi dėmių. Kol yra pakankamai magnetinio lauko stiprumo ir gero aušinimo efekto, jo poveikis tikslinei medžiagai yra nedidelis.

Besmirch poveikis yra ne didelis ~ streikuoti ugnis yra turėti izoliacijos vieta sukelti, tai yra vietos nuodų dažnai arba purvo. Tikslinis apsinuodijimas yra susijęs su mažo galingumo tankiu, o per reaguoja perteklines dujas negalima išgaruoti (arba purkšti) per laiką, dėl to susidaro likęs paviršius, dėl kurio sumažėja laidumas, todėl patenka į toksišką būseną. Šviesa negali švyti, sunki laužas galią.

IKS PVD pritaikė tinkamą PVD dulkių siurbimo mašiną jums, susisiekite su mumis dabar.

iks.pvd@foxmail.com